半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275492
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】連続パターンついての斜入射照明露光法による効果と同様の効果を孤立パターンについても発揮させ、連続パターンとほぼ同等の解像性をもって孤立パターンを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】孤立パターン14の両サイドに補助パターン16a,16bを配置し、孤立パターン14及び補助パターン16a,16bからなる抜きパターンのピッチをL&Sパターン12a,12b,...と同じピッチにする。そしてL&Sパターン12a,12b,...、孤立パターン14及び補助パターン16a,16bを描画したマスク10を用いて4分割光源からの斜入射照明により露光する。更に、補助パターン16a,16bの反転パターン20a,20bを形成したマスク18を用いて重ねて露光し、補助パターン16a,16bによる転写パターンを消滅させる。

請求項（抜粋）：

マスク上に、同一形状のパターンが所定の間隔をおいて繰り返し配置される連続パターン及び隣接するパターンから前記所定の間隔以上の間隔をおいて配置される孤立パターンを描画すると共に、前記孤立パターンの両サイドに配置され、前記孤立パターンとの組合せにより連続したパターンを構成する補助パターンを描画し、前記連続パターン及び前記孤立パターン並びに前記補助パターンを描画した前記マスクを用いて、前記連続パターンの周期性に対応する最適の光源形状をもつ最適光源からの斜入射照明により縮小投影露光を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 G , H01L 21/30 301 C

前のページに戻る