半導体装置用テープキャリア及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211960
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026084
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】導電パターン層に最適の無電解めっきを施すことで、ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性の双方に優れた半導体装置用テープキャリアを得る。【解決手段】樹脂フィルム1の表面に形成された導体パターン層2と、その上に設けられた無電解ニッケル合金めっき層3と、その上に形成された0.1μm〜0.3μmのめっき膜厚の無電解金めっき層4とを有する構造とすることにより、又はその無電解金めっき層4を0.005μm〜0.3μmのめっき膜厚とし、そのめっき表面にプラズマクリーニング処理を施すことにより、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れた半導体装置用テープキャリアとする。

請求項（抜粋）：

樹脂フィルムの表面に形成され、半導体チップとのボンディング用パッド部及びはんだボール搭載用接合部を具備する導体パターン層と、前記導体パターン層上に形成された無電解ニッケル合金めっき層と、前記無電解ニッケル合金めっき層上に形成された無電解金めっき層とを有し、前記無電解金めっき層の膜厚が0.1μm〜0.3μmの範囲にあることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 301 , C23C 18/52 , H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/60 311 W , H01L 21/60 301 A , C23C 18/52 B , H01L 23/12 L

Fターム (7件)：

4K022AA02 , 4K022BA03 , 4K022BA14 , 4K022BA36 , 4K022DA01 , 4K022EA04 , 5F044MM23

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