特許
J-GLOBAL ID：200903078412854394
炭化珪素-シリコン複合材の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014363
公開番号（公開出願番号）：特開平6-227880
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【構成】炭化珪素多孔体に溶融したシリコンを含浸させて炭化珪素-シリコン複合材を製造するに際し、炭化珪素-シリコン複合材より熱容量の大きい台座(4) の上に載置されたるつぼ(3) 内に炭化珪素多孔体(1) を入れ、さらに、シリコンの小片(2) を容れてこれを溶融し、溶融シリコンを炭化珪素多孔体に含浸させた後冷却する。台座を用いる代わりに、溶融後に炭化珪素多孔体の開気孔の全体積の 1.5倍以上となるような量のシリコンの小片をるつぼ内に容れてもよい。【効果】炭化珪素多孔体の冷却速度は下方部の方が小さくなるので、溶融シリコンの凝固は多孔体の上方部から下方部方向に進行し、材料表面へのシリコンの滲み出し(金属シリコン突起物の生成)を容易に防止することができ、従来行われていたシリコンの滲み出し部の除去処理を不要とすることができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素多孔体に溶融したシリコンを含浸させて炭化珪素-シリコン複合材を製造する方法において、炭化珪素-シリコン複合材より熱容量の大きい台座の上に載置されたるつぼ内に炭化珪素多孔体を入れ、さらにシリコンの小片を容れてこれを溶融し、溶融シリコンを炭化珪素多孔体に含浸させた後、冷却することを特徴とする炭化珪素-シリコン複合材の製造方法。
IPC (2件)：
C04B 41/85
, C04B 35/56 101
