キラルツイスト型のレーザー及びフイルター用装置と方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-597611
公開番号（公開出願番号）：特表2002-536827
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2002年10月29日
要約：

【要約】局在化状態を引き起こす欠陥が多数キラル素子(20,22)で構成されるキラル構造体(12)で誘起されるが、それは接触範囲(26)で相互に接触する素子分子層のデイレクタがそれら間の特定の”ツイスト”角で配置され、そのツイスト角が連続層のデイレクタ間でシフト角より大きいように該キラル構造体の1つの素子が相手の素子に対し共通縦軸線に沿ってツイストされることによる。該キラルツイスト構造体はフイルター、レーザー及び検出器の様な種々の応用で使用される。ツイストにより引き起こされる欠陥はツイスト角を変え、かくして光子停止帯域内に誘起された欠陥の位置を変えるために1つ以上のキラル素子を相互に対し回転させるための同調装置を提供することにより同調可能になる。同調可能な欠陥は同調可能な波長のキラルフイルター、検出器及びレーザーを作るために有利に利用出来る。

請求項（抜粋）：

キラル構造体に於いて、第1の複数の分子層を備える第1のキラル素子を具備しており、前記第1の複数の層の各々は前記層内の分子の向きを略表す特有の第1のデイレクタを有しており、前記複数の第1デイレクタの各対はそれら間のシフト角を有しており、そして第1の接触層は第1の接触デイレクタを有しており、該構造体は又、第2の複数の分子層を備える第2のキラル素子を具備しており、前記第2の複数の層の各々は前記層内の分子の向きを略表す特有の第2のデイレクタを有しており、前記複数の第2のデイレクタの各対はそれら間のシフト角を有しており、そして第2の接触層は第2の接触デイレクタを有しており、前記第1及び第2のキラル素子は、 a)前記第1の接触層が前記第2の接触層と実質的に接触しており、 b)前記第1と前記第2のキラル素子は前記第1と第2の複数の分子層に直角な共通軸線の周りで相互に対しツイスト角でツイストされており、前記ツイストは該キラル構造体内に欠陥を引き起こし、前記欠陥は前記ツイスト角の大きさに比例する波長で該キラル構造体の光子の停止帯域内に局在化光子状態を誘起するように順次相互に対し位置付けされていることを特徴とするキラル構造体。

IPC (5件)：

H01S 3/08 , G02B 5/30 , H01L 31/0232 , H01S 3/10 , G02F 1/13 505

FI (5件)：

H01S 3/08 , G02B 5/30 , H01S 3/10 Z , G02F 1/13 505 , H01L 31/02 D

Fターム (14件)：

2H049BA03 , 2H049BA42 , 2H049BB03 , 2H049BB42 , 2H049BC25 , 2H088EA31 , 2H088EA51 , 2H088JA15 , 2H088JA28 , 2H088MA20 , 5F072FF08 , 5F072KK01 , 5F072KK30 , 5F088JA13

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