特許

J-GLOBAL ID：200903078421879049

炭化ケイ素焼結体

発明者： 大月 正珠 ,  和田 宏明 ,  高橋 佳智 ,  斎藤 翼
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231470
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079841
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 高密度であって、且つ、導電性を有し、高熱伝導率を兼ね備えた高品位の、半導体工業、電子情報機器産業などの多くの分野において有用な炭化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られ、且つ、窒素を導入してなる焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ、窒素を150ppm以上含有することを特徴とする。この炭化ケイ素焼結体の体積抵抗率は1Ω・cm以下であり、炭化ケイ素成分中のβ型炭化ケイ素が70%以上であることが好ましい。焼結体に窒素を導入する方法としては、原料炭化ケイ素粉末の製造時にヘキサメチレンテトラミン、アンモニア、トリエチルアミン等の各種アミン類に代表される窒素源を添加する方法と、焼結体を製造する際に、非金属系焼結助剤とともに窒素源を添加する方法が挙げられる。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られ、且つ、窒素を導入してなる焼結体であって、密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ、窒素を150ppm以上含有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/565 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

C04B 35/56 101 A ,  H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化ケイ素のスパッタリングターゲット
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-519570   出願人：ザカーボランダムカンパニー
• 特開平2-199066
  
• 半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306293   出願人：株式会社ブリヂストン
• 特開平2-199066