特許
J-GLOBAL ID：200903078423551989
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150300
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 発光層(又は受光層)に均一に電流を注入することができ、発光効率(又は受光効率)を高くできる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたn型窒化物半導体からなる第1半導体層と、該第1半導体層上に動作領域を介して形成されたp型窒化物半導体からなる第2半導体層と、第2半導体層上に形成された正電極と、第2半導体層の一部を除去して露出させた第1半導体層の表面に形成された負電極とを備えた窒化物半導体素子であって、負電極が形成される第1半導体層の表面は、第1半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、かつ負電極が第1半導体層の露出させた表面と該表面に連続する外周側面とに連続して形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたn型窒化物半導体からなる第1半導体層と、該第1半導体層上に動作領域を介して形成されたp型窒化物半導体からなる第2半導体層と、上記第2半導体層上に形成された正電極と、上記第2半導体層の一部を除去して露出させた上記第1半導体層の表面に形成された負電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記負電極が形成される上記第1半導体層の表面は、上記第1半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、かつ上記負電極が上記第1半導体層の露出させた表面と該表面に連続する上記外周側面とに連続して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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