特許
J-GLOBAL ID:200903078423611353

電子写真感光体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内田 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-312021
公開番号(公開出願番号):特開平8-171220
出願日: 1994年12月15日
公開日(公表日): 1996年07月02日
要約:
【要約】【目的】 低温で感光体の作製が可能で、高硬度で耐摩耗性に優れ、光学特性、電気特性に優れ、かつ、低摩擦力表面で低エネルギー表面を有し、耐酸化性を有するアモルファスシリコン感光体を提供しようとするものである。【構成】 導電性基板上にアモルファスシリコンからなる光導電層とアモルファス窒化ケイ素からなる表面層を有する電子写真感光体において、感光体の最表面におけるN/Siの元素組成比が0.8〜1.33の範囲で、O/Siの元素組成比が0〜0.9の範囲にあることを特徴とする電子写真感光体及びその製造方法である。
請求項(抜粋):
導電性基板上にアモルファスシリコンからなる光導電層とアモルファス窒化ケイ素からなる表面層を有する電子写真感光体において、感光体の最表面におけるN/Siの元素組成比が0.8〜1.33の範囲で、O/Siの元素組成比が0〜0.9の範囲にあることを特徴とする電子写真感光体。
IPC (5件):
G03G 5/08 304 ,  G03G 5/08 305 ,  G03G 5/08 306 ,  G03G 5/08 331 ,  G03G 5/08 360

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