特許

J-GLOBAL ID：200903078425631483

マイクロ波プラズマ反応装置

発明者： 山道 泰明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139379
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 ガスを主としてマイクロ波を用いてプラズマ化したガス雰囲気中に被処理体を置き、且つ高周波を一対の電極を介して被処理体に印加するマイクロ波プラズマ反応装置において、被処理体上における高周波電圧による電界強度の不均一性を是正することによって、エッチング速度或いは成膜速度の均一性を高め、膜質の均質性を高める。【解決手段】 一対の電極12、13をその間に被処理体14を存在させ得るように対向配置させる。更に、その内の上部電極13にはマイクロ波を減衰を伴うことなく通すためのマイクロ波透過孔43を設ける。

請求項（抜粋）：

ガスを主としてマイクロ波を用いてプラズマ化したガス雰囲気中に被処理体を置き、且つ高周波を一対の電極を介して被処理体に印加するマイクロ波プラズマ反応装置において、上記一対の電極をその間に被処理体を存在させ得るように対向配置させたことを特徴とするマイクロ波プラズマ反応装置

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 M