特許

J-GLOBAL ID：200903078427718250

タングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット

発明者： 森 暁 ,  塩野 一郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280269
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125237
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】 高電力をかけて高速成膜してもパーティクル発生数の少ない優れたタングステンシリサイド薄膜を高速成膜することのできるスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】 Siの(220)面の面間隔およびWSi2 金属間化合物の(200)面の面間隔が理論値よりいずれも0.1〜1.5%小さいタングステンシリサイド焼結体からなるタングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット。

請求項（抜粋）：

Siの(220)面の面間隔およびWSi2 金属間化合物の(200)面の面間隔が、いずれも理論値よりも0.1〜1.5%小さい値を有するタングステンシリサイド焼結体からなることを特徴とするタングステンシリサイドスパッタリング用ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C01G 41/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C01G 41/00 Z ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 T