特許
J-GLOBAL ID:200903078427897626

半導体ウエハの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-040260
公開番号(公開出願番号):特開2004-253483
出願日: 2003年02月18日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】薄膜加工後の、粘着剤の残りや、半導体ウエハの破損の問題がなく、薄膜加工を行うことが可能な半導体の製造方法。【解決手段】透明基板1と、透明基板1上に形成された光触媒含有層2と、光触媒含有層2上に形成され光触媒の作用により特性が変化する特性変化粘着剤層3と、特性変化粘着剤層3上に形成された高分子樹脂基材4と、高分子樹脂基材4上に形成された粘着剤層5、とを有する支持用積層体6から構成され、半導体ウエハ7を粘着剤層5と密着させることにより貼付する貼付工程と、支持用積層体6が貼付された前記半導体ウエハの裏面を研削する研削工程と、透明基板1側からエネルギーを照射することにより、特性変化粘着剤層3の特性を変化させるエネルギー照射工程と、光触媒含有層2と特性変化粘着剤層3とを剥離する剥離工程と、粘着剤層5と前記半導体ウエハ7とを剥離させる剥離工程と、を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
透明基板と、前記透明基板上に形成された少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に形成され、光触媒の作用により特性が変化する特性変化粘着剤層と、前記特性変化粘着剤層上に形成された高分子樹脂基材と、前記高分子樹脂基材上に形成された粘着剤層とを有する支持用積層体、および表面にパターンが形成されたパターン形成面を有する半導体ウエハを、前記粘着剤層と、前記パターン形成面とを密着させることにより貼付する半導体ウエハ貼付工程と、 前記支持用積層体が貼付された前記半導体ウエハの裏面を研削する半導体ウエハ研削工程と、 前記透明基板側からエネルギーを照射することにより、前記特性変化粘着剤層の特性を変化させるエネルギー照射工程と、 前記光触媒含有層と前記特性変化粘着剤層とを剥離する特性変化粘着剤層剥離工程と、 前記粘着剤層と前記半導体ウエハとを剥離させる半導体ウエハ剥離工程と を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
IPC (5件):
H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68
FI (6件):
H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631 ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/68 N
Fターム (25件):
4J004AA05 ,  4J004AA10 ,  4J004AB01 ,  4J004AB06 ,  4J004CA03 ,  4J004CA06 ,  4J004CA07 ,  4J004CC02 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040CA031 ,  4J040DF001 ,  4J040HA136 ,  4J040JA09 ,  4J040JB09 ,  4J040KA42 ,  4J040NA20 ,  4J040PA32 ,  4J040PA42 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA80 ,  5F031MA22

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