特許

J-GLOBAL ID：200903078431804241

半導体装置の製造方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  野村 登
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031859
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252133
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に金属アルコキシドを含む溶液を塗布することにより形成する酸化膜におけるクラックを簡易な方法によって防止する。【構成】 まず、半導体基板1を、下記の組成よりなる金属アルコキシド溶液2の中に浸漬した後、半導体基板1を金属アルコキシド溶液2中から引上げ速度2mm/sで引き上げて、半導体基板1の表面にSiO2 膜3を形成する。次に、SiO2 膜3にヘキサメチルジシラザン蒸気4を接触させることにより、SiO2 膜3の表面に対してシリル化処理を行なう。この結果、半導体基板1の表面に、クラックがなく均質で欠陥のない良好なSiO2 膜3が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属アルコキシドを含む溶液を塗布することにより該半導体基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜の表面に対してシリル化処理を行なうシリル化処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。