特許
J-GLOBAL ID：200903078432332025

スピンバルブ(SV)センサ、磁気読み出し/書き込みヘッド、ディスクドライブシステム、およびスピンバルブ(SV)センサの製造方法

発明者：
ハーダヤル・シン・ジル

ハーダヤル・シン・ジル について


出願人/特許権者：
ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ

ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ について


代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  木崎 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407267
公開番号（公開出願番号）：特開2004-192794
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】 反平行結合タブをピンニング(磁化固定)する薄膜反強磁性層を有する磁気抵抗効果センサーを提供する。 【解決手段】 リード層との重なり領域にある、反平行結合した自己ピンバイアス層と交換結合した、薄膜反強磁性体(AFM)層を有するスピンバルブセンサーが提供される。本発明のスピンバルブセンサーは、第一と第二の受動領域にあるフリー層と反平行結合している強磁性体バイアス層を備え、第一と第二のリード層はバイアス層と交換結合して、バイアス層にピンニング磁界を加えている薄膜AFM層およびスピンバルブセンサー層と重なっている。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
第一及び第二の受動領域と該第一及び第二の受動領域の間に横手方向に配置された中央トラック幅領域を有するスピンバルブ(SV)センサーにおいて、 ピン層と、 強磁性フリー層と、 前記ピン層と前記フリー層にはさまれた中間層と、 前記第一及び第二の受動領域の中にある強磁性バイアス層と、 前記フリー層と前記強磁性バイアス層に挟まれており、第一及び第二の受動領域にある前記バイアス層と前記フリー層を強固に反平行結合させている反平行結合層と、 前記強磁性体バイアス層に隣接し、前記強磁性バイアス層と交換結合して前記バイアス層にピンニング磁界を加える反強磁性体(AFM)層と、 を備えることを特徴とするスピンバルブ(SV)センサー。
IPC (2件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08
FI (2件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 Z
Fターム (6件)：
5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5、206、590号
  • 米国特許第5,465,185号
審査官引用 (2件)

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