重ね露光方法及び露光システム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143995
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367902
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【目的】半導体回路のウエハ上のパタ-ンの位置、幅、間隔等を正確に検出し、微細なパタ-ンの重ね露光や、形成されたパタ-ンの高精度な評価を実現すること。【構成】ウエハ等の被検物体への照明光または、及び被検物体からの反射光を所望の分光照度または分光透過率にし、膜構造に伴う多重反射による検出波形の歪みが除去できるようにする。また各波長で検出の開口数を変え、各波長での像の解像度を一致させる。また、分光手段で分離した各波長の一次元像に対し、信号処理により各波長のパタ-ン信号強度比を変えて画像合成する。また検出光学系で発生している色収差を、分離された各波長のパタ-ン信号の時間軸(パタ-ン上では位置座標軸)に補正を掛けることにより色収差補正する。【効果】ウエハ等のパタ-ンの位置を正確に検出することが可能になり、半導体回路の露光がより微細なパタ-ンに対し高い歩留で実現可能になり、また検査等がより信頼性高く、高精度に実現できるようになった。

請求項（抜粋）：

原画マスクに描画されたパタ-ンを照明する露光照明系と、当該露光照明系で照明され該マスクを透過した光を被露光物体に投影露光する投影光学系と、被露光物体を搭載し、移動可能なステ-ジと、被露光物体上に既に加工されたパタ-ンの位置を検出する露光装置内パタ-ン検出系とからなり、当該被露光物体上に既に加工されたパタ-ンの位置に応じて該原画マスクと該被露光物体の相対的な位置を合せした後、原画マスクの像を被露光物体上に投影露光する投影露光装置と、当該露光装置で露光する前か後の被露光物体を被検物体とし、当該被検物体に波長幅の広い光源もしくは実効的に複数の単波長を含む光源から出射した光を照射し、該被検物体で反射した光を用いて該被検物体表面のパタ-ンを検出するパタ-ン検出装置と、上記被露光物体に感光層を形成する装置と、上記投影露光装置で露光された該感光層が形成されている被露光物体を現像する装置と、当該現像後の被露光物体をエッチングする装置と、当該パタ-ン検出装置で検出されたアライメントに関するパタ-ン位置情報を該感光層を形成する装置または該現像装置またはエッチング装置にフィ-ドバックするか、もしくは該露光装置にフィ-ドバック又はフィ-ドフォワ-ドする制御装置と、からなる露光システム。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (3件)：

G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 Z , H01L 21/30 502 V

Fターム (4件)：

5F046AA18 , 5F046AA28 , 5F046JA22 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-101412
特開平2-170515
特開平3-225815

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