近接スイッチ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永田良昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106867
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305203
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電波検知回路のトランジスタが遮断状態となる電界強度レベルを調整可能にして、トランジスタの電界強度レベルを基本回路の電界強度レベル間近まで調整可能な電波検知回路を不正な電波で誤動作しないように設けた近接スイッチを提供する。【解決手段】物体の近接に伴い発振出力が変化する発振回路と、発振回路の発振出力の所定量変化を検知時に物体検知信号を出力する比較回路と、外部から到来する所定強度の電波を検知時に比較回路の物体検知信号の出力を不可にする電波検知回路とを備え、電波検知回路の電波検知素子をサブストレート型PNPトランジスタで形成し、エピタキシャル成長層とサブストレート層との間に電波を遮断するバリア層を挿入したことを特徴とし、バリア層により電波照射時のサブストレート層側から影響する電波の遮断効果を持たせて、電波を検知するトランジスタの耐電波特性を調整して、電界強度レベルを上げる。

請求項（抜粋）：

物体の近接に伴い発振出力が変化する発振回路と、該発振回路の発振出力が所定量変化したことを検知したとき物体検知信号を出力する比較回路と、外部から到来する所定強度の電波を検知したとき前記比較回路の物体検知信号の出力を不可にする電波検知回路とを備え、上記電波検知回路において電波検知の動作をする電波検知素子を、サブストレート型PNPトランジスタで形成し、該トランジスタを形成するエピタキシャル成長層とサブストレート層との間に、電波を遮断するバリア層を挿入した近接スイッチ。

IPC (9件)：

H01L 21/331 , A63F 7/02 304 , A63F 7/02 325 , G01V 3/10 , H01H 36/00 , H01L 21/8222 , H01L 27/082 , H01L 29/732 , H03K 17/945

FI (7件)：

A63F 7/02 304 B , A63F 7/02 325 Z , G01V 3/10 E , H01H 36/00 R , H03K 17/945 M , H01L 29/72 P , H01L 27/08 101 B

Fターム (27件)：

2C088BC49 , 2C088BC63 , 5F003BA00 , 5F003BA25 , 5F003BB02 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BN01 , 5F082BA02 , 5F082BA21 , 5F082BA23 , 5F082BA26 , 5F082BA47 , 5F082BC04 , 5F082FA18 , 5G046AB01 , 5G046AC54 , 5G046AE13 , 5J050AA13 , 5J050BB22 , 5J050CC00 , 5J050DD04 , 5J050EE13 , 5J050EE24 , 5J050EE34 , 5J050EE35 , 5J050FF29

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-292978
特開昭51-060171
特開昭52-102688

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