特許

J-GLOBAL ID：200903078441127809

半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者： 内田 史朗 ,  東條 剛
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-104683
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299765
出願日： 2001年04月03日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 θparaが大きく、しかも高出力域まで光出力-注入電流特性が良好な、つまり高いキンクレベルを有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の作製方法を提供する。【解決手段】 本方法は、リッジ導波路型半導体レーザ素子の作製に際し、発振波長に対するリッジ内の実効屈折率neff1とリッジ脇の実効屈折率neff2との実効屈折率差ΔnをΔn≦neff1-neff2、及びリッジ幅をWとするとき、x軸にW(μm)を、及びy軸にΔnを取ったx-y座標上で、Δn≦a×W+b・・(1)(但し、a及びbはキンクレベルを定める定数)、W≧c・・(2)(但し、cはリッジ形成の際の最小リッジ幅を規定する定数)、Δn≧d・・(3)(但し、dは所望θparaによって規定される定数である)の3式の定数a、b、c及びdを設定する。次いで、ΔnとWの組み合わせが、上記3式を満足するように、絶縁膜の膜種及び膜厚、絶縁膜上の電極膜の膜厚、並びにリッジ脇のクラッド層の膜種及び膜厚の少なくともいずれかを設定する。

請求項（抜粋）：

少なくとも上部クラッド層の上部がストライプ状リッジに形成され、リッジ両側面及びリッジ脇の上部クラッド層上に電流狭窄層として絶縁膜を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子において、発振波長に対するリッジ内の実効屈折率neff1とリッジ脇の実効屈折率neff2との実効屈折率差ΔnをΔn=neff1-neff2とし、かつリッジ幅をWとするとき、x軸にW(μm)を、及びy軸にΔnを取ったx-y座標上で、WとΔnとの組み合わせが、Δn≦a×W+b・・・・・・(1)(但し、a及びbはキンクレベルを定める定数)W≧c・・・・・・・・・・・(2)(但し、cはリッジ形成の際の最小リッジ幅を規定する定数)Δn≧d・・・・・・・・・・(3)(但し、dは所望θparaによって規定される定数である)の3式を満足するΔn・W領域内にあるように、絶縁膜の膜種及び膜厚、絶縁膜上の電極膜の膜厚、リッジ高さ、並びに上部クラッド層の膜種及びリッジ脇の上部クラッド層の残り層の膜厚の少なくともいずれかが、設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA16 ,  5F073EA19