特許
J-GLOBAL ID：200903078450978919
リソグラフィ用マスクおよびこれを用いたパタン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162496
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015138
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 柱状の微細パタンの形成が可能なリソグラフィ用マスクとそれを用いたパタン形成方法を得ることを目的とする。【解決手段】 マスク基板1が設置されるマウント6とでX線マスクを構成する。マウント6を、露光装置への取付けの平面的位置が正規の位置と、これに対して90度回転した位置での取付けを可能する平面的形状とする。具体的には辺9aと9bの面精度と、これら両辺間の角度θ1 と、辺9bと9cの面精度と、これら両辺間の角度θ2 が、露光装置に装着するときの許容値に入るように製作する。また、マウント6の下面に、正規の取付け位置に対応する取付け磁石7a,7b,7cと、90度回転した取付け位置に対応する取付け磁石8a,8b,8cを設ける。マスク基板1に、X線マスクパタン3と、被露光ウエハとのアライメントが可能となるような正規の取付け位置に対応するアライメントマーク4a,4b,4cと、正規の位置から90°回転した取付け位置に対応するアライメントマーク5a,5b,5cを形成する。
請求項（抜粋）：
リソグラフィに用いられるマスクにおいて、露光装置への取付けの平面的位置が正規の位置のみでなく、これに対して90度回転した位置でも取付けが可能となるような平面的形状と、被露光ウエハとのアライメントが可能となるようなアライメントマークを備えたことを特徴とするリソグラフィ用マスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 N
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 531 M
