特許

J-GLOBAL ID：200903078451162203

量子結合メモリ

発明者： 片山 弘造 ,  蒲原 史朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055502
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】情報の読み出し及び書込みが可能な量子結合RAMを提供する。【構成】量子結合RAMは、第一と第二の量子ドット10,12及びその励起電子準位と共鳴する基底電子準位と伝導帯と価電子帯間の禁制体内にトラップ準位をもつ第三の量子ドット13と、更に、量子ドット中のキャリアの励起を行うための光源60から構成される。光源60は量子ドット13にキャリアを注入する手段と、量子ドット13の基底状態から選択的にキャリアを除去するための共鳴トンネルダイオードから構成される。【効果】任意アドレスデータの書込み及び読み出しが可能であり、現在の半導体デバイスの動作限界を越える一テラビット級超微細大容量量子結合メモリを実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体材料にメモリを形成する際に、最小寸法が500Å以下または他の寸法が1000Å以下の半導体材料の島を含む複数の第一,第二の量子ウェルと、キャリアの最小ポテンシャルエネルギが、前記量子ウェルの中のキャリアの最小ポテンシャルエネルギよりも少なくとも50ミリ電子ボルト高く、前記量子ウェルの励起準位と一致し、前記量子ウェルの間に埋込まれ、伝導帯と価電子帯間の禁制体内に少なくとも一つのトラップ準位をもつ第三の量子ウェルを含み、前記キャリアの最小ポテンシャルエネルギが、前記第三の量子ウェルの中の前記キャリアの最小ポテンシャルエネルギよりも少なくとも50ミリ電子ボルト高く、前記量子ウェルの最小物理寸法の三倍以下の距離によって互いに物理的に分離され、前記第一,第二および第三の量子ウェルの間に挿入された障害媒体と、前記第一の量子ウェルの中に前記キャリアを注入するための手段と、前記第二の量子ウェルから前記キャリアを除去するための手段と、前記第一と第二の量子ウェルに光を照射し前記第一と第二の量子ウェル内の前記キャリアのエネルギを励起する手段とを設けたことを特徴とする量子結合メモリ。