特許

J-GLOBAL ID：200903078452871640

高い熱放散を伴う複合構造

発明者： アリス、ブッサゴル ,  ブリュス、フォル
出願人/特許権者： エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316324
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173577
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】良好な熱放散を伴う複合構造を提供する。【解決手段】光学、光電子工学、または電子工学での用途のための複合構造40であって、支持ウェハ20と、単結晶材料の中から選択される材料からなる層と、誘電体材料からなる層13とを備え、複合構造40の熱インピーダンスが、周囲温度と600°Kとの間で、複合構造と同じ寸法を有する単結晶バルクSiCウェハの熱インピーダンスの約1.3倍以下になるように、支持ウェハ20、単結晶材料からなる層11、および誘電層13が作成される材料が選択され、各層の厚さが調整されることを特徴とする複合構造40。また、この複合構造40を製造するための方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

光学、光電子工学、または電子工学での用途のための複合構造(40)であって、支持ウェハ(20)と、単結晶材料の中から選択される材料からなる層(11)と、誘電体材料からなる層(13)とを備え、複合構造(40)の熱インピーダンスが、周囲温度と600°Kとの間で、前記複合構造と同じ寸法を有する単結晶バルクSiCウェハの熱インピーダンスの約1.3倍以下になるように、前記支持ウェハ(20)、前記単結晶材料からなる層(11)、および前記誘電層(13)の構成材料が選択され、各層の厚さが調整されることを特徴とする複合構造(40)。

IPC (7件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/26

FI (5件)：

H01L27/12 B ,  H01L29/80 H ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 H ,  H01L29/26

Fターム (22件)：

5F048AC04 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL02 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01