特許
J-GLOBAL ID：200903078455392556

電気特性見積プログラム、電気特性見積装置および電気特性見積方法

発明者：
木村 吉志

木村 吉志 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-285468
公開番号（公開出願番号）：特開2009-116410
出願日： 2007年11月01日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：
【課題】コストを考慮しながら半導体パッケージの電気特性を高精度に見積もること。【解決手段】電気特性見積装置は、PKG(半導体パッケージ)の構成に関する情報を取得し、取得されたPKGの構成に関する情報から基板コストと、組み立てコストとを特定し、PKGのコストを算出する。また、電気特性見積装置は、PKGのワイヤ長情報を設計情報から取得し、ワイヤ長情報に応じた電磁界解析シミュレーション結果をPKGのワイヤ部分の電気特性値として特定し、同じくPKGのインターポーザー配線長情報を設計情報から取得し、インターポーザー配線長情報に応じた電磁界解析シミュレーション結果をPKGのインターポーザー部分の電気特性値として特定し、コスト算出結果とともに出力する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
LSIチップを搭載する半導体パッケージの設計情報から前記半導体パッケージの電気特性の見積処理をコンピュータに実行させる電気特性見積プログラムであって、 前記半導体パッケージの構成に関する情報を取得させる構成情報取得工程と、 前記構成情報取得工程によって取得させた半導体パッケージの構成に関する情報から基板コストと、組み立てコストとを特定させ、前記半導体パッケージのコストを算出させるコスト算出工程と、 前記LSIチップを前記半導体パッケージに接続するワイヤ長情報を前記設計情報から取得させるワイヤ長情報取得工程と、 前記ワイヤ長情報取得工程によって取得させたワイヤ長情報に応じた電磁界解析シミュレーション結果を前記半導体パッケージのワイヤ部分の電気特性値として特定させる第1の特定工程と、 前記半導体パッケージのインターポーザー配線長情報を前記設計情報から取得させるインターポーザー配線長情報取得工程と、 前記インターポーザー配線長情報取得工程によって取得させたインターポーザー配線長情報に応じた電磁界解析シミュレーション結果を前記半導体パッケージのインターポーザー部分の電気特性値として特定させる第2の特定工程と、 前記コスト算出工程によって算出させた前記半導体パッケージのコストと、前記第1の特定工程によって特定させたワイヤ部分の電気特性値と、前記第2の特定工程によって特定させたインターポーザー部分の電気特性値とを出力させる出力工程と、 を前記コンピュータに実行させることを特徴とする電気特性見積プログラム。
IPC (1件)：
G06F 17/50
FI (5件)：
G06F17/50 666S ,  G06F17/50 608G ,  G06F17/50 666V ,  G06F17/50 666L ,  G06F17/50 672Z
Fターム (3件)：
5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5B046JA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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