半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮井暎夫 , 伊藤誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018264
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235183
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】安価な製造装置で短期間に絶縁膜を形成でき、ヒューズ領域上方にもはんだバンプおよび再配線を配置することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、素子の不良救済のためのヒューズ70を有しヒューズ70を被う絶縁膜90を有し絶縁膜90上にバンプ104を有するものであって、絶縁膜90は有機材料により形成されている。絶縁膜が感光材料により形成されることもある。また製造方法は、ウエハ上に素子20〜22およびヒューズ70を形成する工程と、ウエハの素子の検査後にヒューズ70を切断する工程と、ヒューズ70を切断後に絶縁膜90を形成する工程と、絶縁膜90上にバンプ104を形成する工程とを含み、絶縁膜90の形成をフューズ70を形成する工程以降の後工程において実施する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

素子の不良救済のためのヒューズを有し前記ヒューズを被う絶縁膜を有し前記絶縁膜上にバンプを有する半導体装置であって、前記絶縁膜が有機材料により形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/82 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/12 , H01L27/04 , H01L27/10

FI (7件)：

H01L21/82 F , H01L23/12 501P , H01L27/10 491 , H01L27/04 V , H01L27/04 T , H01L21/88 S , H01L21/90 S

Fターム (48件)：

5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ74 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS21 , 5F033VV00 , 5F033VV07 , 5F033VV11 , 5F033VV16 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F038AV02 , 5F038AV03 , 5F038AV15 , 5F038BE07 , 5F038CA10 , 5F038CA16 , 5F038DF05 , 5F038DT15 , 5F038DT18 , 5F038EZ03 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F064BB12 , 5F064BB31 , 5F064DD42 , 5F064DD48 , 5F064EE22 , 5F064EE26 , 5F064EE53 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF32 , 5F064FF42 , 5F064FF45 , 5F064GG03 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083GA27 , 5F083JA58 , 5F083ZA10 , 5F083ZA12 , 5F083ZA29

前のページに戻る