特許
J-GLOBAL ID：200903078464428946

真空成膜装置に於ける温度制御方法及び装置

発明者：
樋口 靖

樋口 靖 について

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長野 賢三

長野 賢三 について

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小松 孝

小松 孝 について

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中村 久三

中村 久三 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257863
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102534
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 成膜される基板の温度を同一の真空槽内で多段階に迅速に昇降可変できるとともに、基板温度の安定性の良い制御方法を提供すること、及びこの方法の実施に適した装置を提供すること【解決手段】 真空槽1内に設置したホットプレート6上に基板7を載せ、該基板の温度を高低に制御しながらこれにCVDやスパッタ或いは蒸着により成膜を施す方法に於いて、成膜時の該基板の最低温度を該ホットプレートにより制御し、該基板の温度を高温にするときに該ホットプレートを作動させると共に該真空槽の外部に設けた赤外線ランプ11の光を該真空槽に設けた透光窓9を介して該基板へ照射する。該ホットプレートは基板を吸着する静電チャック機構5を備え、該静電チャック機構を基板の高温処理時に不作動とし、基板の冷却時に作動させる。
請求項（抜粋）：
真空槽内に設置したホットプレート上に基板を載せ、該基板の温度を高低に制御しながらこれにCVDやスパッタ或いは蒸着により成膜を施す方法に於いて、成膜時の該基板の最低温度を該ホットプレートにより制御し、該基板の温度を高温にするときに該ホットプレートを作動させると共に該真空槽の外部に設けた赤外線ランプの光を該真空槽に設けた透光窓を介して該基板へ照射することを特徴とする真空成膜装置に於ける温度制御方法。
IPC (6件)：
H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31
FI (6件)：
H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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