特許

J-GLOBAL ID：200903078465450040

受光素子及び受光素子モジュ-ル

発明者： 工原 美樹 ,  中西 裕美 ,  寺内 均
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-256107
公開番号（公開出願番号）：特開平11-083619
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 2つの異なる波長の光λ<SB>1</SB> 、λ<SB>2</SB> を用いて信号を送受信する双方向光通信において1本の光ファイバによって2波長の信号を送信するから波長分波器によって信号を分離する。波長分波器だけでは消光比が不十分であるからさらにその波長の光だけを通す誘電体多層膜フィルタを通す必要がある。このフィルタがなくても十分な消光比を実現できるような受光素子を提供する。【解決手段】 受信すべき光の波長をλ<SB>2</SB> 、不要な光の波長をλ<SB>1</SB> とし(λ<SB>1</SB> <λ<SB>2</SB> )て、受光素子の基板の裏面に不要な光のエネルギーより高く、受信すべき光のエネルギーより低いバンドギャップをもつ結晶層をエピタキシャル成長させてフィルタとしこのフィルタを通して光を受光素子に導き入れるようにし、不要光をこれによって吸収させる。

請求項（抜粋）：

第1の波長λ<SB>1</SB> の光とそれより長い第2の波長λ<SB>2</SB> の光(λ<SB>1</SB> <λ<SB>2</SB> )を用いた光通信において第2の波長λ<SB>2</SB> の光のみを感受するための受光素子であって、n型又はp型のいずれかである第1伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタキシャル成長させた基板と同じ第1伝導型の受光層と、受光層の一部に基板と反対の第2伝導型の不純物をドープして形成した第2伝導型のp型或いはn型領域と、受光層のなかに形成されるpn接合と、第2伝導型領域の上に形成される第2伝導型用の電極と、前記の半導体基板の他方の面にエピタキシャル成長させた波長λ<SB>1</SB> の光のエネルギーより低く波長λ<SB>2</SB> の光のエネルギーより高いバンドギャップを持ちλ<SB>1</SB> の光の透過率が1%以下である厚みを有するn型又はp型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層の上にリング状に形成された第1伝導型用の電極とよりなり、第1伝導型電極の開口部を通してλ<SB>1</SB> 、λ<SB>2</SB> を光を入射させ、フィルタ層によってλ<SB>1</SB> を吸収し、λ<SB>2</SB> のみが受光層のpn接合に到達するようにしたことを特徴とする受光素子。

IPC (4件)：

G01J 1/02 ,  G01J 1/04 ,  G02B 6/293 ,  G02B 6/42

FI (4件)：

G01J 1/02 B ,  G01J 1/04 B ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/28 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光送受信モジュ-ル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-319705   出願人：住友電気工業株式会社
• 赤外線検知装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307807   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-106979