特許
J-GLOBAL ID：200903078469412630
水素化アニール後の非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211262
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078429
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 水素化アニール後の非晶質シリコン膜に対して、他の方法によってはそれが測定感度に満たない場合においても、容易に非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する。【構成】 水素化アニールで非晶質シリコンに進入した水素の拡散深さをTt1、水素化アニールによる欠陥濃度の減少量をDBt1、非晶質シリコンの膜厚をT0および水素化アニール前の初期欠陥濃度をDB0 としたとき、これらによって表わされる比DBt1/DB0 が比Tt1/T0 に対し正比例し、かつ比例定数が1の関係にあることに基づいて、DB0 、T0 およびTt1を測定することによって、被測定量であるDBt1を推定する。
請求項（抜粋）：
水素化アニールで非晶質シリコンに進入した水素の拡散深さをTt1、前記水素化アニールによる欠陥濃度の減少量をDBt1、前記非晶質シリコンの膜厚をT0 および前記水素化アニール前の初期欠陥濃度をDB0 としたとき、これらによって表わされる比DBt1/DB0 が比Tt1/T0 に対し正比例し、かつ比例定数が1の関係にあることに基づいて、DB0 、T0 およびTt1を測定することによって、被測定量であるDBt1を推定するようにしたことを特徴とする水素化アニール後の非晶質シリコンの欠陥濃度の減少量を推定する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/324
, H01L 21/26
, H01L 21/66
, H01L 29/786
H01L 21/26 C
, H01L 29/78 624
