特許

J-GLOBAL ID：200903078469725604

減圧処理装置

発明者： 久保 謙一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027784
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 径の大きい半導体ウエハやLCD基板に対して,対向する位置にある供給排気部から処理ガスを供給しつつ,当該供給排気部からの排気で高い真空度を得る。【解決手段】 上部電極118には,供給経路126及び排気経路128が配置されている。供給経路126は,遮蔽部材134により区画されており,排気経路128とは連通しない構成となっている。また,排気経路128は,多孔質体により構成されている。さらに,排気経路128の排気面積は,供給経路126の供給面積よりも大きく設定されている。そして,上部電極118のウエハW側の面は,多孔質体から成る第1多孔質体板142により覆われている。この第1多孔質体板142の供給経路126の供給口138側には,供給圧力を調整する溝144が設けられている。

請求項（抜粋）：

処理容器内にある被処理基板に対して処理ガスを供給すると共に,処理容器内の雰囲気を排気して,所定の減圧雰囲気の下で被処理基板に対して所定の処理を施す装置であって,供給口と排気口とが,被処理基板に対向した位置にある供給排気部に設けられた減圧処理装置において,供給排気部に供給口を複数形成すると共に,この供給口よりも大径の排気口を複数形成し,さらに前記排気口には,通気性のある多孔質体を設けたことを特徴とする,減圧処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 A