薄膜製造方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川信一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237319
公開番号（公開出願番号）：特開平9-078237
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】複数の原子からなる設計に忠実な超薄膜を得ることのできる薄膜製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】陰極3の裏側に、制御用電磁石4を挟んで外側永久磁石4bと中側永久磁石4cとを配置し、陰極3に内側ターゲット6a、外側ターゲット6bを及び内側・外側コイル12b・12cコイルの通電を制御しスパッタするターゲットを選択可能にしたマグネトロンスパッタリング装置において、内側・外側放出原子捕捉リング7a・7bを配置し、基板5(図3)の裏側にバイアス電極15、熱伝導板13及び発熱体14を配置し、周囲に冷却装置16を配置し、生成する薄膜をバイアス電位、基板温度を制御するようにした。

請求項（抜粋）：

一対の陽極と陰極とを所定の間隔を開けて配置し、陰極の裏側に、陰極上に配置するターゲットを囲む円筒状の外側永久磁石と、その中央部に、前記と反対極の中側永久磁石を配置し、前記二つの永久磁石の間に、円筒状鉄心と、この鉄心の周方向にコイルを巻いた制御用電磁石を配置し、前記中側永久磁石と円筒状鉄心との間の陰極上に内側ターゲットを配置し、また外側永久磁石と円筒状鉄心との間の陰極上に外側ターゲットを配置し、前記コイルの通電を制御することよりスパッタするターゲットを選択可能にしたマグネトロンスパッタリング法において、前記内側・外側の両ターゲットの間及び外側ターゲットの外周に、ターゲット表面から陽極側に延び出した絶縁体からなる放出原子捕捉リングを配置し、低い放出角で放出されるスパッタ原子及び低い角度で陰極側に入射するスパッタ原子を捕捉するようにした薄膜製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/35 , C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (6件)：

C23C 14/35 Z , C23C 14/34 H , C23C 14/34 K , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/31 D

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