フォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-303876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188349
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の構造を含有する繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、上記成分を溶解する有機溶剤、有機塩基性化合物、並びにフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうち少なくとも1種を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される部分構造を含有する繰り返し単位と、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度を増大させることができる基を側鎖に含有する繰り返し単位とを含有するバインダー樹脂(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(C)上記(A)、(B)を溶解する有機溶剤(D)有機塩基性化合物(E)フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及びノニオン系界面活性剤の中から選ばれる少なくとも1種の界面活性剤を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、またはトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 , C08F 30/08 , C08K 5/00 , C08L 43/04 , C08L101/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 521 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 , C08F 30/08 , C08K 5/00 , C08L 43/04 , C08L101/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 521 , H01L 21/30 502 R

Fターム (70件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 4J002BD122 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002BQ001 , 4J002CH052 , 4J002CP032 , 4J002EB106 , 4J002ER026 , 4J002EU026 , 4J002EU076 , 4J002EU136 , 4J002EU186 , 4J002EU226 , 4J002EV226 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002FD312 , 4J002GP03 , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AL36R , 4J100AL39R , 4J100AL41R , 4J100AM39R , 4J100AP16P , 4J100BA03R , 4J100BA04R , 4J100BA05R , 4J100BA06Q , 4J100BA06R , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15R , 4J100BA16R , 4J100BA40R , 4J100BA51R , 4J100BA58R , 4J100BA72P , 4J100BA72Q , 4J100BA77P , 4J100BA80P , 4J100BA82P , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC07R , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA28 , 4J100DA61

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