特許
J-GLOBAL ID：200903078471636163
半導体メモリ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-249344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074480
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 熱処理工程の際にビット線が移動する心配の無い半導体メモリ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面に形成されたメモリセルにデータを入出力させるためのビット線10を備えた半導体メモリにおいて,ビット線10の配線方向に沿って伸びる溝19が酸化膜18に形成され,この溝19に係合させてビット線10が配置されている。溝19に係合してビット線10が配置されているので,酸化膜18に対してビット線10はしっかりと固定された状態となる。このため,ビット線10の側面に応力が加わっても,移動しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成されたメモリセルにデータを入出力させるためのビット線を備えた半導体メモリにおいて,前記ビット線の配線方向に沿って伸びる溝が半導体基板に積層された酸化膜に形成され,該溝に係合させてビット線が配置されていることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/3205
H01L 27/10 681 B
, H01L 21/88 B
