特許
J-GLOBAL ID：200903078475581800

エレクトロニックパッケージング用ケイ素合金

発明者：
リーザン,アラン,ジョージ

リーザン,アラン,ジョージ について

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オギルビー,アンドリュー,ジョセフ,ワイダウスキー

オギルビー,アンドリュー,ジョセフ,ワイダウスキー について

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エリアス,ルイス

エリアス,ルイス について


出願人/特許権者：
オスプリ メタルズ リミテッド

オスプリ メタルズ リミテッド について


代理人 (1件)： 遠山 勉 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-506439
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509480
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】50重量%超のSi、および、好ましくはアルミニウムを含有するケイ素合金を溶融することを含むケイ素系合金の製造方法が記載される。この溶融合金を不活性ガス噴霧して、合金材料の微細構造内にランダムに配向した微細結晶でできた実質的連続相をケイ素が形成している粉末またはスプレー形成されたデポジットを製造する。本方法によって製造された合金は特にエレクトロニックパッケージング材料への用途に有用であり、代表的な例として70重量%のケイ素と30重量%アルミニウムの合金を含む。このような合金は、例えば、機械加工が可能なエンジニアリング材料である。
請求項（抜粋）：
50重量%超のSiを含有するケイ素合金を溶融する工程と、この合金を不活性ガス噴霧して、合金材料の微細構造内にランダムに配向した微細結晶でできた実質的連続相をケイ素が形成している生成物を製造する工程とを含むケイ素系合金の製造方法。
IPC (7件)：
B22D 23/00 ,  B22F 9/08 ,  C22C 1/04 ,  C22C 1/10 ,  C22C 28/00 ,  H01L 23/06 ,  H01L 23/373
FI (7件)：
B22D 23/00 E ,  B22F 9/08 A ,  C22C 1/04 E ,  C22C 1/10 J ,  C22C 28/00 B ,  H01L 23/06 B ,  H01L 23/36 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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