特許

J-GLOBAL ID：200903078477319003

改善されたイメージングのために吸収/減衰性側壁を備えた移相マスク構造および吸収/減衰性側壁を備えたシフターを作る方法

発明者： ヴァスデヴ,プラハラド,ケー. ,  ロー,カー,クエン
出願人/特許権者： セマテック,インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 松井 光夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-517002
公開番号（公開出願番号）：特表平10-512683
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】移相マスクが相シフターを有し、このシフターの側壁は光吸収性または減衰性物質で被覆されている。側壁での光吸収は縁分散を減少させ、かつPSMの移相領域および非移相領域から同様の透過プロファイルを得ることにより解像度を改善する。石英-空気界面での光分散を抑制または防止するために、吸収性または減衰性側壁を備えたシフターを作る方法がまた提供される。石英基板がパターン化され、トレンチが形成されて、「シフター」を提供する。金属フィルム層をトレンチの側壁に沿って形成して、光吸収特性を与える。1つの技術においては、同形の金属層を非等方的にエッチングし、他の方法ではリフトオフ法によって金属層をフォトレジストと共に除去する。

請求項（抜粋）：

マスクの他の部分と比べると、マスクの或る部分がそれを通る入射光の透過を移相するところのフォトリソグラフィーマスクであって、 基板中に形成された少なくとも1つの垂直トレンチを有する基板(該トレンチはそれを通る入射光の透過を移相するために機能する); 該垂直トレンチの側壁に沿って形成された導電性領域であって、該側壁にぶつかる光エネルギーの少なくとも一部を吸収するための導電性領域; を含み、ここで、該導電性領域は、投影されたイメージ場の解像度を改善するために、光が該側壁で分散するのを抑制するところのフォトリソグラフィーマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/14 F ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528