特許

J-GLOBAL ID：200903078477434678

強誘電体薄膜およびその評価方法、強誘電体記憶装置およびその製造方法

発明者： 木村 孝浩 ,  中村 友二 ,  本田 耕一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068464
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体膜を有する半導体装置において強誘電体膜の自発分極を最大化する。【解決手段】 強誘電体膜に励起光を照射し、放射されるラマン散乱光のピークの強さから強誘電体膜中に含まれる正方相ペロブスカイト型強誘電体結晶の方位を求め、前記方位から強誘電体膜の自発分極の大きさを評価し、所望の自発分極を有する試料を選択する。

請求項（抜粋）：

正方相ペロブスカイト型強誘電体結晶を含む強誘電体膜の評価方法において、前記強誘電体膜に対して励起光を照射する工程と、前記励起光に応じて前記強誘電体膜から放射されるラマン散乱光を検出する工程と、前記ラマン散乱光のスペクトル強度から、前記強誘電体膜中における前記正方相ペロブスカイト型強誘電体結晶のc軸配向性を求める工程とよりなることを特徴とする強誘電体膜の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

Fターム (9件)：

5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40