半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-270484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092878
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】発光した光の外部取り出し効率の高い半導体発光素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型GaAs基板1上に、AlGaAsダブルヘテロ接合構造層2を堆積して積層体3とする。n型AlGaAsクラッド層2cの表面に、フォトリソグラフィーとエッチングにより略球面形状の凹部4を複数形成し積層体5とする。積層体5をアンモニア・過酸化水素水溶液に浸漬して、基板1を溶解除去することにより複合エピタキシャル層体6とする。複合エピタキシャル層体6の両面にそれぞれ電極7及び8を形成した後、ダイシングにより分割して半導体発光素子ペレット10を得る。このペレット10を用いて半導体発光素子を作製する。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子ペレットの下面(支持体固着面)を単数または複数の略球面形状の凹部を有する面にしたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/306 A

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平1-137679
特開平1-137679
特開平3-024771

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