特許

J-GLOBAL ID：200903078483957798

半導体装置

発明者： 村上 進 ,  小林 秀男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246570
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】リカバリ時に素子の破壊を防止できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置内のアクティブ領域部分以外の部分に局所的に他の部分よりライフタイムが短い領域を形成する。【効果】リカバリ時にアクティブ領域周辺での局所電界集中が緩和されるため、リカバリ耐量が大きくなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域に設けられる第2導電型の第2半導体領域と、を有し、第1半導体領域内における第2半導体領域の投影部の外側に部分的に低ライフタイム領域が設けられ、該投影部側における低ライフタイム領域の端部が、該投影部の外側に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 658 H