特許

J-GLOBAL ID：200903078484503170

薄膜半導体素子

発明者： 櫛田 知義
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 岡田 英彦 ,  福田 鉄男 ,  犬飼 達彦 ,  石岡 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333443
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048058
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】 薄膜の静電誘導トランジスタで耐圧を高くとれるようにする。【解決手段】 絶縁性支持基板中に、第1導電型薄膜半導体層を形成し、その主表面内において順に第1導電型のソース領域、第2導電型のゲート領域、第1導電型のドレイン領域を形成する。ゲート領域を複数箇所に設ける。そのため、膜厚ではなく、ドレイン領域とゲート領域間の距離によって耐圧特性が調整できるので、薄い膜厚で高い耐圧を得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁性支持基板に形成された薄膜状の第1導電型半導体層を備え、 前記半導体層の主表面内における中間部位において第2導電型のゲート領域が形成されており、 前記半導体層の主表面内で前記ゲート領域を挟んで対向する部位において、第1導電型のソース領域とドレイン領域が形成されていることを特徴とする薄膜半導体素子。

IPC (6件)：

H01L29/80 ,  H01L21/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088

FI (4件)：

H01L29/80 S ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 F ,  H01L27/08 102A

Fターム (22件)：

5F048AA05 ,  5F048AC09 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F048BF16 ,  5F048BG05 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102FB01 ,  5F102GA01 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL03 ,  5F102GR13 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭62-174977号公報
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-130669
  
• 特開昭54-133081