特許
J-GLOBAL ID：200903078486965457
ガス充填形放電ギャップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-524755
公開番号（公開出願番号）：特表平11-506262
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】ガス充填形放電ギャップにおいていわゆる明暗効果、即ち暗貯蔵後の最初の点弧と2回目の点弧との間の点弧電圧の差を最適化するために、複数の成分から成る活性化コンパウンドに別の成分としてセシウム及びタングステン、クロム、ニオブ、バナジウム又はモリブデンのようないわゆる遷移金属から成る酸化物化合物を5〜25重量%の量で添加する。活性化コンパウンドの別の成分は基本成分としてバリウム化合物及び例えばチタンなどの金属の形のいわゆる遷移金属及びアルカリ-又はアルカリ土類ハロゲン化物及びケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムである。
請求項（抜粋）：
1. 少なくとも2個の電極及び少なくとも電極の1つに施された複数の成分から成る電極活性化コンパウンドを有する火花ギャップ又は避雷器のようなガス充填形放電ギャップにおいて、 電極活性化コンパウンドが基本成分として単数又は複数のアルカリ-又はアルカリ土類ハロゲン化物及び/又はケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムを約30〜60重量%の量で含んでおり、 またこの電極活性化コンパウンドが別の成分としてバリウム化合物及びチタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ又はクロムのようないわゆる遷移金属を金属の形でそれぞれ5〜25重量%の量で、またセシウム及びタングステン、クロム、モリブデン、ニオブ又はバナジウムのようないわゆる遷移金属から成る酸化物化合物、即ちタングステン酸セシウム(Cs2WO4)、クロム酸セシウム(Cs2Cr2O7又はCs2CrO4)、モリブデン酸セシウム(CsM oO4)、ニオブ酸セシウム(CsNbO3)又はバナジウム酸セシウム(CsVO3)を約5〜25重量%の量で含んでいるガス充填形放電ギャップ。
引用特許：
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