特許

J-GLOBAL ID：200903078488833450

半導体レーザ装置

発明者： 高桑 智恵 ,  鈴木 信夫 ,  遠山 政樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354213
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202324
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】発振スペクトル線幅を細く保ったまま、発振波長を高速、且つ大きく変化させることができる半導体レーザ装置を提供する。【構成】光を導波する光導波領域が第1および第2の光導波領域からなる半導体レーザ装置であって、第1の光導波領域が、活性領域を形成する活性層の上部に分布帰還共振器を有する活性・分布帰還領域21,22であり、第2の光導波領域24,25が、光導波領域内の光損失を制御する領域で、そのキャリア密度が実質的にゼロであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光を導波する光導波領域が共振器方向に直列して接続された第1および第2の光導波領域からなり、前記第1の光導波領域が、活性領域内に分布帰還共振器を有する活性・分布帰還領域であり、前記第2の光導波領域が、前記光導波路領域内の光損失を制御する領域で、そのキャリア密度が実質的にゼロであることを特徴とする半導体レーザ装置。