特許
J-GLOBAL ID：200903078490760363

半導体発光素子の光放出端面の形成方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
河合 弘治

河合 弘治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063276
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234535
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板などの高価な基板を用いることなく、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面を劈開により形成することができ、電極取り出しを上下両面から行うことができ、動作にも支障を生じないようにする。【解決手段】 C面サファイア基板上にn型層、活性層およびp型層を順次成長させてレーザ構造を形成した後、最上層のp型層29上に金属膜30を形成する。(100)面方位のp型GaP基板31上に金属膜32を形成する。金属膜30、32を介してC面サファイア基板上のp型層29とp型GaP基板31とをそれらの劈開容易方向が一致するように接合後、C面サファイア基板を除去する。露出したn型層23、24に部分的に電流狭窄層33を形成した後、p型GaP基板31をその劈開容易方向に沿って劈開することによりn型層、活性層およびp型層を劈開して共振器端面を形成する。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面の形成方法において、半導体発光素子を構成するn型窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層およびp型窒化物系III-V族化合物半導体層をその一方の主面上に順次成長させた第1の基板の上記p型窒化物系III-V族化合物半導体層を、導電性中間層を介して、劈開性を有するp型半導体からなる第2の基板の一方の主面と接合し、その際上記第2の基板の劈開容易方向と上記n型窒化物系III-V族化合物半導体層、上記活性層および上記p型窒化物系III-V族化合物半導体層の劈開容易方向とがほぼ一致するように上記第1の基板と上記第2の基板とを相互に位置合わせする工程と、上記第1の基板をその他方の主面側から除去する工程と、上記n型窒化物系III-V族化合物半導体層に部分的に電流阻止層を形成することにより縦方向の電流狭窄構造を形成する工程と、上記第2の基板をその劈開容易方向に沿って劈開することにより上記n型窒化物系III-V族化合物半導体層、上記活性層および上記p型窒化物系III-V族化合物半導体層を劈開して光放出端面を形成する工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の光放出端面の形成方法。
IPC (2件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/323 610
Fターム (9件)：
5F073AA09 ,  5F073CA03 ,  5F073CB02 ,  5F073CB03 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA23 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (3件)

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