特許
J-GLOBAL ID：200903078496582106
シリコン酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026024
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199500
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】タイムゼロ絶縁破壊(TZDB)特性及び経時絶縁破壊(TDDB)特性に優れ、しかも薄く均一なシリコン酸化膜を形成することができる、シリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、加湿酸素を不活性ガスで希釈した雰囲気中で半導体基板10上にシリコン酸化膜11を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中でシリコン酸化膜11を熱処理する。
請求項（抜粋）：
加湿酸素を不活性ガスで希釈した雰囲気中で半導体基板上にシリコン酸化膜を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 21/316 P
