特許

J-GLOBAL ID：200903078500460460

光ピックアップ用フォトダイオードアレイ

発明者： 清水 悦朗
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-281073
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110805
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 S/Nを向上させるため半導体レーザ光の光量を増大させた場合でも受光素子間のリークを小さく抑制することの可能な光ピックアップ用フォトダイオードアレイを提供する。【解決手段】 半導体レーザの出力強度検知用受光素子Aと、ディスク信号光を受光する受光素子Bと、位置ずれ信号を受光する受光素子Cと、これらの受光素子A,B,Cを取り囲む受光素子Dとを配置して構成したフォトダイオードアレイにおいて、受光素子Dの幅の狭い部分に、コンタクト32を介して直接受光素子Dに接続して、選択的にAl 配線層31を形成し、受光素子Aの近傍から受光素子Dの端子D”までの抵抗値を低減し、受光素子Dに発生する光キャリアを容易に排出できるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザを光学部品を通して、光ディスク上に集光し、光ディスクからの反射光を受光して、ディスク情報を読み取る光ピックアップ装置内に設けられたフォトダイオードアレイにおいて、複数の受光素子領域と、該受光素子領域を取り囲むようにレイアウトされた周辺受光素子領域とを有し、該周辺受光素子領域内の少なくとも一部に電気的に接続されたAl 配線領域を備えていることを特徴とする光ピックアップ用フォトダイオードアレイ。