特許

J-GLOBAL ID：200903078505344035

有機EL素子の製造方法

発明者： 荒井 三千男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377476
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200686
出願日： 1998年12月29日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 有機層にダメージを与えることなく素子を製造することができ、長寿命で、高効率で、耐候性を備え、安定性が高く、しかも安価な有機EL素子の製造方法を実現する。【解決手段】 基板と、この基板上に形成された一対のホール注入電極と陰極と、これらの電極間に設けられた少なくとも発光機能に関与する有機層とを有し、この有機層と陰極との間には、酸化物により形成されている無機絶縁性電子注入輸送層を有する有機EL素子の製造方法であって、前記無機絶縁性電子注入輸送層をスパッタ法にて成膜する際に、スパッタガスと窒素との混合ガスで成膜した後、スパッタガスと酸素との混合ガスで成膜して無機絶縁性電子注入輸送層を得る有機EL素子の製造方法とした。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された一対のホール注入電極と陰電極と、これらの電極間に設けられた少なくとも発光機能に関与する有機層とを有し、この有機層と陰電極との間には、酸化物により形成されている無機絶縁性電子注入輸送層を有する有機EL素子の製造方法であって、前記無機絶縁性電子注入輸送層をスパッタ法にて成膜する際に、スパッタガスと窒素ガス(N2)との混合ガスで成膜して無機絶縁性電子注入輸送層を得る有機EL素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/22 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (12件)：

3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007EC00 ,  3K007EC03 ,  3K007FA01