特許

J-GLOBAL ID：200903078505430888

ジルコン酸チタン酸鉛膜の有機メタル化学気相堆積

発明者： クリストファー ウェイド ,  ヴィスウェスワレン シヴァラマクリシュナン ,  コーシャル ケー. シン ,  ファリッド アブーアメリ ,  ローラ ミルカリミ ,  ジュン アマノ ,  ジュン ツァオ ,  ダグ マーストン ,  ヴィセント リム
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396832
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247967
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 基板へのジルコン酸チタン酸鉛(PZT)膜の有機メタル化学気相堆積方法及び装置を提供する。【解決手段】 PZT膜形成方法は、鉛ビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)、ジルコニウムビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)及びチタンビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)を気化するステップと、 気化した鉛ビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)、ジルコニウムビス (ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)及びチタンビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)をチャンバに導入するステップとを含む。装置は、ガス分配装置と基板サポートを有するCVDチャンバと、CVDチャンバのガス分配装置に流体接続された、各々温度コントローラを含む1つ以上の気化器と、CVDチャンバのガス分配装置に流体接続された酸素ガスソースと、1つ以上の気化器に流体接続され、Pb(thd)2とZr(OiPr)2(thd)2とTi(OiPr)2(thd)2とを含む。

請求項（抜粋）：

流体接続された1つ以上の気化器を有する化学気相堆積チャンバ内の基板へのジルコン酸チタン酸鉛(PZT)膜形成方法であって、a)鉛ビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)、ジルコニウムビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)及びチタンビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)を気化するステップと、b) 気化した鉛ビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)、ジルコニウムビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)及びチタンビス(ヘプタンジオン酸テトラメチル)ビス(イソプロポキシル)をチャンバに導入するステップとを有するPZT膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/448 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316