特許

J-GLOBAL ID：200903078514435280

量子ドット、量子ドットを持つナノ複合材料、量子ドットを持つ光学デバイス、および関連した製造方法

発明者： ハワード・ウィン・フーン・リー ,  アラン・ハップ・チン ,  ウィリアム・マシュー・フェニンガー ,  マジッド・ケシャバーズ
出願人/特許権者： ウルトラドッツ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石井 久夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-507867
公開番号（公開出願番号）：特表2006-513458
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

本発明は、量子ドット、量子ドットを持つナノ複合(nanocomposite)材料、量子ドットを持つ光学デバイス、および関連した製造方法に関する。一実施形態において、量子ドットは、SiとGeからなるグループから選択された半導体材料Yを含むコアを備える。量子ドットはまた、コアを包囲するシェルを備える。量子ドットは、量子ドットが10%より大きい量子効率を持つフォトルミネセンスを示すように、実質的に欠陥フリーである。

請求項（抜粋）：

a)SiとGeからなるグループから選択された半導体材料Yを含むコアと、 b)前記コアを包囲するシェルと、を備える量子ドットであって、 前記量子ドットは、前記量子ドットが10%より大きい量子効率を持つフォトルミネセンスを示すように、実質的に欠陥フリーである量子ドット。

IPC (4件)：

G02F 1/35 ,  H01L 29/06 ,  G02F 1/313 ,  G02B 6/12

FI (4件)：

G02F1/35 ,  H01L29/06 601D ,  G02F1/313 ,  G02B6/12 H

Fターム (18件)：

2H147AB36 ,  2H147AC11 ,  2H147BA15 ,  2H147BE01 ,  2H147BE04 ,  2H147BE22 ,  2H147BF03 ,  2H147BF13 ,  2H147EA13A ,  2H147EA19B ,  2H147EA45B ,  2H147FA17 ,  2K002AB04 ,  2K002BA01 ,  2K002CA13 ,  2K002DA08 ,  2K002DA11 ,  2K002HA13