特許

J-GLOBAL ID：200903078519700934

単結晶体のオリフラ加工位置決定方法

発明者： 町谷 芳郎
出願人/特許権者： 理学電機株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-014560
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 オフ角が付いている円筒状の単結晶体について、回折X線の検出できる複数の外周面位置の中から、オフ角の傾斜方向と特定の位置関係にある外周面位置を探すために、X線検出器の検出面をX線アブソーバで部分的に覆うようにして、複数の回折ピークの検出強度の相対的な大小関係とその出現順序とに基づいてオリフラ加工位置を決定する。【解決手段】 シリコン単結晶体16をその軸線回りに回転させながらX線検出器24で回折X線32の強度を検出する。シリコン単結晶体16の外周面が結晶の{110}面にほぼ平行となる4か所の位置A、B、C、Dで回折ピークを検出できるが、<100>方位のオフ角の傾斜方向との位置関係により、回折X線32は水平面20から上にずれたり下にずれたりして、X線アブソーバ36に当たらない場合と、X線アブソーバ36を透過してから検出面に入る場合とがある。この検出強度の違いに基づいて、上述の4か所の位置を区別できる。

請求項（抜粋）：

円筒状の単結晶体の特定の結晶方位が単結晶体の軸線に対して特定の方向に傾斜しているような単結晶体について、その外周面におけるオリフラ加工位置を決定する方法において、次の段階を備える単結晶体のオリフラ加工位置決定方法。(イ)円筒状の単結晶体の外周面にX線ビームを照射できるようにX線源を配置するとともに、前記外周面における所定の結晶格子面で回折した回折X線を検出できるようにX線検出器を配置し、かつ、前記X線源と前記外周面上のX線照射点と前記X線検出器とを含む回折平面が前記単結晶体の軸線に垂直になるようにX線源とX線検出器を配置する段階。(ロ)前記X線照射点と前記X線検出器の間に、X線検出器の検出面を部分的に覆うことのできるX線アブソーバを配置して、前記X線アブソーバを透過しないで前記検出面に到達する回折X線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における一方の側の領域に入射し、前記X線アブソーバを透過してから前記検出面に到達する回折X線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における他方の側の領域に入射するように、前記X線アブソーバを位置決めする段階。(ハ)前記単結晶体をその軸線の回りに回転させて、前記所定の結晶格子面に起因する複数の回折ピークの強度を前記X線検出器で検出する段階。(ニ)前記複数の回折ピークの強度の相対的な大小関係とその出現順序とに基づいてオリフラ加工位置を決定する段階。

IPC (3件)：

G01N 23/20 ,  G01N 23/207 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

G01N 23/20 ,  G01N 23/207 ,  H01L 21/68 M