CIS系カルコパイライト構造半導体薄膜及びその製造方法並びにCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜を有する太陽電池及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074229
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274526
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】グレーデッドバンドギャップ構造を再現性よく且つ低コストで形成することができるCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜及びその製造方法並びにCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜を有する太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板に近い方でバンドギャップエネルギーが大きく且つn型半導体と接触することになる膜表面付近でバンドギャップエネルギーが小さいCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜において、基板付近の原子数比Al/(In+Al)がその膜表面の原子数比Al/(In+Al)よりも小さくなるようにAl及びInの組成を連続的に変化させる。

請求項（抜粋）：

基板に近い方でバンドギャップエネルギーが大きく且つn型半導体と接触することになる膜表面付近でバンドギャップエネルギーが小さいCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜において、基板付近の原子数比Al/(In+Al)がその膜表面の原子数比Al/(In+Al)よりも小さくなるようにAl及びInの組成を連続的に変化させたことを特徴とするCIS系カルコパイライト構造半導体薄膜。

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