特許
J-GLOBAL ID：200903078523359074
サーミスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-352149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176611
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 多結晶シリコンによる感温抵抗体の抵抗値の変動を防止する。【解決手段】 多結晶シリコンによる感温抵抗体4の周囲に窒化シリコン等の保護層3を形成する。窒化シリコン等の保護層3を形成した後に酸化膜5、電極6、パッシベーション膜7を形成するので、熱処理後の処理工程において加熱等されても、多結晶シリコンによる感温抵抗体4の結晶性の変化等を防止でき、抵抗値の変動を防止することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に絶縁膜を介して多結晶シリコンの抵抗層を具え、その多結晶シリコン層に配線用の導体パターンが接続されたサーミスタにおいて、多結晶シリコン層の周囲が保護層で覆われたことを特徴とするサーミスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (1件)
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赤外線検出素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-309873
出願人：松下電工株式会社
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