特許

J-GLOBAL ID：200903078526328137

炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを用いる半導体素子配線の形成方法

発明者： 李 善雨 ,  呂 寅碩 ,  李 ▲ジュン▼泳 ,  金 重鉉 ,  尹 洪植 ,  邊 ▲キュン▼來
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-247337
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085336
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に酸化金属膜を形成する段階と、 前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する段階と、 前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブが成長される触媒金属膜パターンに形成する段階と、 前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて前記開口内に炭素ナノチューブ配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする炭素ナノチューブ配線の形成方法。

IPC (11件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/105 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/16 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/06

FI (12件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 A ,  H01L27/10 448 ,  C23C14/14 D ,  C23C14/16 Z ,  C23C14/08 J ,  C23C14/08 K ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

Fターム (108件)：

4K029AA00 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029BA02 ,  4K029BA06 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BA26 ,  4K029BA43 ,  4K029BD02 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  4K030BA05 ,  4K030BA07 ,  4K030BA14 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030HA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104FF21 ,  4M104GG16 ,  4M104HH01 ,  4M104HH05 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ26 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK16 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033KK36 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033SS26 ,  5F033SS27 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第7,060,543号明細書