特許

J-GLOBAL ID：200903078529829714

発光ダイオードアレイ

発明者： 藤本 和良
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163407
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 電極のパターン形状が複雑でパターニング工程で不良が発生しやすく、また発光素子内での電流の広がりがなく、発光ばらつきを生じやすいという問題があった。【解決手段】 半導体基板1上に積層された島状の一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3を列状に多数形成すると共に、この逆導電型半導体層3を複数毎に一つの個別電極4に接続し、同じ個別電極4に接続された複数の逆導電型半導体層3下部の一導電型半導体層2をそれぞれ異なる共通電極5に接続した発光ダイオードアレイであって、上記一導電型半導体層2下部の上記半導体基板1内に、この一導電型半導体層2の配列方向と交差する方向に延びる一導電型半導体領域1aを形成し、この一導電型半導体領域1aを介して上記一導電型半導体層2を上記共通電極5に接続した。

請求項（抜粋）：

積層された島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層を半導体基板上に列状に多数形成し、この複数の逆導電型半導体層毎に一つの個別電極に接続し、同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部の一導電型半導体層をそれぞれ異なる共通電極に接続した発光ダイオードアレイにおいて、前記一導電型半導体層下部の前記半導体基板内に、この一導電型半導体層の配列方向と交差する方向に延びる一導電型半導体領域を形成し、この一導電型半導体領域を介して前記一導電型半導体層を前記共通電極に接続したことを特徴とする発光ダイオードアレイ。