特許
J-GLOBAL ID：200903078533314729
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333935
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 電極・配線形成の工程数を低減できるバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】 本発明のバイポーラトランジスタは、コレクタ電極と第1層配線8、ベース電極と第2層配線9、およびエミッタ電極と第3層配線10がそれぞれ同一の金属材からなり、同一面上に位置している。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上にサブコレクタ層,コレクタ層,ベース層,エミッタ層,エミッタコンタクト層が順次形成されたバイポーラトランジスタにおいて、コレクタ電極とサブコレクタ層の間にコレクタコンタクト層を有し、コレクタ電極と第1層配線、ベース電極と第2層配線、およびエミッタ電極と第3層配線が、それぞれ同一のノンアロイオーミックメタルからなり同一面上に位置することを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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