ショットキーバリア半導体装置およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269657
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117000
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】金属層が設けられる半導体基板の動作層表面にエッチングにより凹部を形成することなく、逆方向特性の耐圧が大きく、かつ、順方向電圧降下が小さいショットキーバリア半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板1と、該半導体基板上に形成された第1導電型で前記半導体基板より不純物濃度が低い半導体層2と、該半導体層と前記半導体基板との境界部から前記半導体層の表面近傍まで設けられた第1導電型で該半導体層より不純物濃度が高い埋込層6と、該埋込層の外周部で前記半導体層の表面側に形成された第2導電型のガードリング4と、前記埋込層上の前記半導体層の表面に前記ガードリングにかかるように設けられるショットキーバリアを形成する金属層3とからなっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成された第1導電型で前記半導体基板より不純物濃度が低い半導体層と、該半導体層と前記半導体基板との境界部から前記半導体層の表面近傍まで設けられた第1導電型で該半導体層より不純物濃度が高い埋込層と、該埋込層の外周部で前記半導体層の表面側に形成された第2導電型のガードリングと、前記埋込層上の前記半導体層の表面に前記ガードリングにかかるように設けられるショットキーバリアを形成する金属層とからなるショットキーバリア半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-023568
特開昭58-068986
特開昭64-023568

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