特許
J-GLOBAL ID：200903078535472925
赤外線検知素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071923
公開番号（公開出願番号）：特開平9-257564
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 貫通穴のアライメントを特に行う必要がなくアライメント誤差(位置ずれ)も原理的に起きないという優れた赤外線検知素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 金属板の代わりにシリコンなどの半導体基板を用い、開口部の形成に異方性エッチングを用いることでメンブレン(薄膜)形成と蒸着開口部の形成を自己整合的に行うことで素子寸法が小さくなっても赤外線吸収膜の位置精度を高く保つことが可能となる。本発明によれば、赤外線検知素子が形成されているメンブレン膜と基板を熱分離するために行う異方性エッチングによってできる空洞Aと裏面からのエッチングによってできる空洞Bとが接してできる貫通孔を形成し、この貫通孔を通して赤外線吸収膜を裏面から蒸着する。空洞Aは中心部が最も深くなるために、必ず中心部に貫通孔が自己整合的に形成される。この貫通孔を通して裏面から蒸着を行うので赤外線吸収膜も空洞Aの中心部に自己整合的に形成される。
請求項（抜粋）：
主平面の面方位(100)が半導体基板にメンブレン膜を形成する工程と、該メンブレンに主開口部を形成する工程と、該主開口部からエッチングによって基板に空洞Aを形成し該メンブレン膜の一部を基板と分離する第一エッチング工程と、該半導体基板の裏面に耐エッチング性を有する保護膜を形成する工程と、該保護膜に副開口部を形成する工程と、該副開口部からのエッチングによって基板に空洞Bを形成し該主開口部からの基板除去部と接続する穴を形成する第二エッチング工程と、該半導体基板の裏面から空洞A及び空洞Bを通して物理的または化学的堆積法によってメンブレン下部に赤外線吸収膜を形成する工程とを有する赤外線検知素子の製造方法。
IPC (4件)：
G01J 1/02
, H01L 21/306
, H01L 27/12
, H01L 35/32
G01J 1/02 B
, H01L 27/12 Z
, H01L 35/32 A
, H01L 21/306 B
