特許

J-GLOBAL ID：200903078538225872

EL素子の製造方法

発明者： 田之上 敦 ,  渡辺 恒二
出願人/特許権者： 株式会社興人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157313
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326144
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 連続プロセスが可能であり、品質の良好なEL素子の製造方法を得る。【構成】 上下2枚の耐熱性弾力性板にて分散型EL素子および外装フィルムを重ねて挟み、10Torr以下の真空中にて、温度80°C以上、絶対圧2kg/cm2 以上で加熱圧着した後、少なくとも上下1対以上の冷却ロール間に通して加圧冷却する。

請求項（抜粋）：

少なくとも透明電極、発光層、絶縁層、対向電極を順次積層してなる分散型EL素子本体をリード端子を導出して外装フィルムで気密封止する分散型EL素子の製造方法において、上下2枚の耐熱性弾力性板にて分散型EL素子および外装フィルムを重ねて挟み、10Torr以下の真空中にて、温度80°C以上、絶対圧2kg/cm2 以上で加熱圧着した後、少なくとも上下1対以上の冷却ロール間に通して加圧冷却することを特徴とする分散型EL素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/04